[发明专利]一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池有效
申请号: | 200910197096.4 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN101673777B | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 黄素梅;王正安;孙卓 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人: | 徐筱梅 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池,其特点是该电池由柔性衬底上依次制备碱性硅酸盐薄膜层、下电极层、铜铟镓硒光吸收层、过渡层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极层而成。本发明与现有技术相比具有较高的电池开路电压和填充因子,大大提高了太阳能电池的光转换效率、寿命、质量和性能,制作工艺简单,生产成本低的优点,使我国的太阳能电池能进一步得到广泛的应用和推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池,其特征在于该电池由柔性衬底上依次制备碱性硅酸盐层、下电极层、铜铟镓硒光吸收层、过渡层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极层而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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