[发明专利]金属栅制作方法有效
| 申请号： | 200910197103.0 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044421A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 周地宝;任红茹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属栅的制作方法，首先提供已形成硅衬底的晶圆，在硅衬底的正反面分别形成第一氧化层和第二氧化层，在第一氧化层和第二氧化层上分别形成第一保护层和第二保护层；刻蚀第一保护层、第一氧化层和硅衬底；在第一保护层和出露的硅衬底淀积第三氧化层，平坦化第三氧化层至出露第一保护层；干法刻蚀去除部分第一保护层；湿法刻蚀去除剩余的第一保护层和部分第二保护层；形成阱区，预清洗去除第一氧化层并形成栅氧化层；形成金属栅。本发明栅极侧面暴露出来的金属原子不会扩散进入硅衬底，无需在金属栅极刻蚀后去除晶圆背面一定厚度的硅衬底，避免硅原子流失而导致晶圆背面凹凸不平，影响后续曝光等问题的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅的制作方法，首先提供已形成硅衬底的晶圆，在所述硅衬底的正反面分别形成第一氧化层和第二氧化层，在所述第一氧化层和第二氧化层上分别形成第一保护层和第二保护层；刻蚀第一保护层，第一氧化层和硅衬底；在所述第一保护层和出露的硅衬底淀积第三氧化层，平坦化第三氧化层至出露第一保护层；干法刻蚀去除部分第一保护层；湿法刻蚀去除剩余的第一保护层和部分第二保护层；离子注入形成阱区，预清洗去除第一氧化层并形成栅氧化层；形成金属栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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