[发明专利]一种等离子体浸没注入剂量标定方法

摘要

本发明属于等离子体技术领域，具体涉及一种等离子体浸没注入剂量标定方法。所述的标定方法为通过实时测定等离子体浸没注入过程中的脉冲电压和回路电流，并且通过对电流在脉冲时间内的积分，剔除二次电子的成分来得到离子电流的成分，从而进行离子注入剂量的标定。此方法得到了一个最后标定的公式，根据不同的注入离子类型，靶材类型以及不同的注入参数可以修改其参数达到剂量标定的准确性。本发明解决了使用纯粹理论模型测量等离子体密度的复杂和剂量标定误差大的缺点，可以在等离子体浸没注入的范围内广泛使用。

主权项

1、一种等离子体浸没注入剂量标定的方法，其特征在于首先通过示波器实时测定离子注入脉冲的电压电流，在高压脉冲电源和等离子腔体以及靶台两端形成的电路回路，从高压探头处测定脉冲电压，在回路线路中测定相应脉冲内的回路电流；然后采用积分回路电流并除去二次电子贡献进行注入剂量计算；其计算的公式为Dim=δtf∫0tpIdt/eη0A,]]>其中η₀为离子注入的二次电子产生效率，δ为不同条件下二次电子产生效率的修正因子，它与不同的离子注入类型并且和不同的注入参数设置相关，t_p为脉冲电压脉宽，I为实测电流，e为注入离子电量，A为靶材面积，t为整体注入时间，f为脉冲电压频率，D_im为单位面积离子注入剂量。