[发明专利]一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器有效
| 申请号： | 200910197301.7 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101692456A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李雪;唐恒敬;方家熊;龚海梅;段微波;刘定权;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/105;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器，它由InP衬底、N型InP层、氮化硅钝化层、InGaAs吸收层、P型InP帽层、P电极区、中心波长在λ1的Si/SiO2滤光微结构薄膜、中心波长在λ2的Si/SiO2滤光微结构薄膜和P电极互连层和N电极区组成。滤光微结构是基于法布里-珀罗谐振腔结构设计的带通型滤光片，选用Si和SiO2作为高折射率(nH)材料和低折射率(nL)材料。本发明的优点：滤光片微结构直接生长在InGaAs探测器芯片上，避免了多波段之间可能存在的“串色”和杂散光的进入，同时有利于两个波段尽可能靠近，缩短对同一目标探测的时间延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 滤光 微结构 ingaas 探测器 | ||
【主权项】：
一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器，它由InP衬底(5)、N型InP层(6)、氮化硅钝化层(7)、InGaAs吸收层(8)、P型InP帽层(9)、P电极区(10)、中心波长在λ1的Si/SiO2滤光微结构薄膜(11)、中心波长在λ2的Si/SiO2滤光微结构薄膜(12)和P电极互连层(2)和N电极区(3)组成，其特征在于：所述的InGaAs线列或面阵探测器在氮化硅钝化层(7)上集成有滤光微结构薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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