[发明专利]具有双超浅隔离结构的硅覆绝缘晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有双超浅隔离结构的硅覆绝缘晶体管及其制作方法，首先提供一片硅覆绝缘基板，其包含一层硅层，接着在硅层中形成第一、第二超浅沟道结构，之后再形成一个作为集电极的第一型掺杂区，并在介于两个超浅沟道结构之间的硅层中形成一个作为基极的第二型轻掺杂区。然后在硅层中形成一个第二型掺杂区，使第一、第二型掺杂区不但分别与第一、第二超浅沟道结构邻接，并与第二型轻掺杂区邻接，最后在第二型轻掺杂区的表面形成一个第一型发射极结构。本发明能使与基极连接的基极连接导线的内阻变小，以提高整个器件的电流驱动力。

主权项

一种具有双超浅隔离结构的硅覆绝缘晶体管，其特征在于，包含：一片硅覆绝缘基板，其包含一层硅层，所述硅层周围形成有隔离结构；第一型掺杂区，其位于所述硅层中，作为集电极；第二型掺杂区，其位于所述硅层中，且与所述第一型掺杂区邻接；第一超浅隔离结构，其位于所述硅层中，并与所述第一型掺杂区邻接；第二超浅隔离结构，其位于所述硅层中，并与所述第二型掺杂区邻接；第二型轻掺杂区，其位于所述第一、第二超浅隔离结构之间，且与所述第一、第二型掺杂区邻接，以作为基极；以及第一型发射极结构，其位于所述硅覆绝缘基板上，且位于所述第二型轻掺杂区的表面。