[发明专利]半导体封装打线工艺的硬度测量装置及其方法无效

专利信息
申请号: 200910197966.8 申请日: 2009-10-30
公开(公告)号: CN102053041A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 王德峻 申请(专利权)人: 日月光封装测试(上海)有限公司
主分类号: G01N3/42 分类号: G01N3/42;H01L21/66;H01L21/60
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种半导体封装打线工艺的硬度测量装置及其方法,所述硬度测量装置包含一打线机台、一硬度测量针杆及一参数收集与运算单元。所述打线机台具有一焊针组装部,以组装结合所述硬度测量针杆,并使所述硬度测量针杆相对所述打线机台进行移动。所述硬度测量针杆具有一下压接触部,所述下压接触部用以接触一封装组件的至少一打线位置。所述参数收集与运算单元可供选择收集、计算或输出所述下压接触部接触所述打线位置的硬度相关参数。
搜索关键词: 半导体 封装 工艺 硬度 测量 装置 及其 方法
【主权项】:
一种半导体封装打线工艺的硬度测量装置,其特征在于:所述硬度测量装置包含:一打线机台,具有一焊针组装部;一硬度测量针杆,组装于所述焊针组装部,其中所述焊针组装部使所述硬度测量针杆相对所述打线机台进行移动,且所述硬度测量针杆具有一下压接触部,所述下压接触部用以接触一封装组件的至少一打线位置;及一参数收集与运算单元,其选择收集、计算或输出所述下压接触部接触所述打线位置的硬度相关参数。
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