[发明专利]半导体器件的器件层制作方法无效
| 申请号： | 200910198098.5 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102054697A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的器件层制作方法，该方法包括：在半导体器件衬底上形成栅极后，在栅极侧壁形成氮化层；在所述栅极表面及半导体衬底表面沉积再氧化层后，对栅极和半导体衬底进行轻掺杂；形成所述栅极的氮氧化物侧墙后，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极；采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。本发明提供的方法消除了因“微笑”型氧化现象而造成的对器件性能变化范围及开关性能产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的器件层制作方法，该方法包括：在半导体器件衬底上形成栅极后，在栅极侧壁形成氮化层；在所述栅极表面及半导体衬底表面沉积再氧化层后，对栅极和半导体衬底进行轻掺杂；形成所述栅极的氮氧化物侧墙后，对栅极和半导体器件衬底进行掺杂，在半导体器件沉积形成漏极和源极；采用自对准硅化物方法在栅极表面和半导体衬底沉积金属，形成金属化硅层，然后进行快速退火处理后，刻蚀掉未反应的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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