[发明专利]互连结构的形成方法无效
| 申请号： | 200910198115.5 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102054750A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;刘盛;杨瑞鹏;孔祥涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层内形成暴露衬底的接触孔；在所述接触孔侧壁、底部和介质层表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成填充接触孔的金属层；对所述金属层进行3次以上的退火、冷却工艺；对所述金属层进行化学机械抛光直至暴露出介质层。本发明可以有效地避免在金属层内形成较大的应力，从而可以避免形成的金属层内由于应力过大而产生孔隙状缺陷，提高了芯片的良率和可靠性。另外，本发明还可以避免形成有金属层的衬底在退火工艺完成后而产生的翘曲效应。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层内形成暴露衬底的接触孔；在所述接触孔侧壁、底部和介质层表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成填充接触孔的金属层；对所述金属层进行3次以上的退火、冷却工艺；对所述金属层进行化学机械抛光直至暴露出介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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