[发明专利]精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法有效
| 申请号： | 200910198255.2 | 申请日： | 2009-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101698962A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C30B25/02;C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括采用常规分子束外延方法在衬底上生长四元系半导体材料；分别测试四元系半导体材料的室温晶格常数和室温禁带宽度；根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计算得出材料组分；通过调节生长条件，重复操作直到材料组分与目标组分相符，即完成四元系半导体直接带隙材料的生长。该方法无需预先生长相应的三元系半导体材料，可以直接在衬底上生长四元系半导体直接带隙材料，在节约成本的同时，对所需材料的组分进行了准确有效地指导生长。 | ||
| 搜索关键词： | 精确 控制 四元系 半导体 直接 材料 组分 生长 表征 方法 | ||
【主权项】：
一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括：(1)采用常规分子束外延方法在衬底上生长AxB1-xCyD1-y或ABxCyD1-x-y型四元系半导体材料；(2)采用高分辨率x射线衍射，判断外延材料与衬底间的失配情况，以计算出四元系半导体材料的室温晶格常数；(3)采用室温光致发光谱测试获得四元系半导体直接带隙材料的室温禁带宽度；(4)根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计算得出材料组分；(5)通过调节固态源束源炉温度或气态源束源气压生长条件，重复操作步骤(1)～(4)直到材料组分与目标组分相符，即完成四元系半导体直接带隙材料的生长。
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