[发明专利]双向晶闸管以及静电保护电路有效
| 申请号： | 200910198358.9 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102054838A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 单毅;何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/747;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了双向晶闸管以及静电保护电路，其中双向晶闸管包括：P型半导体衬底；形成于半导体衬底内的第一N阱、P阱以及第二N阱；所述P阱分别与第一N阱以及第二N阱相邻；形成于第一N阱表面区域且相隔离的第一N+型注入区以及第一PMOS晶体管；形成于第二N阱表面区域且相隔离的第二N+型注入区以及第二PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的源极以及第二PMOS晶体管的漏极均与P阱相连接；所述第一N+型注入区与第一PMOS晶体管的漏极连接阳极，第二N+型注入区与第二PMOS晶体管的源极连接阴极。本发明晶闸管具有双向导电的能力，且触发电压较低，使得静电保护电路具有较强的静电保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 晶闸管 以及 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种双向晶闸管，其特征在于，包括：P型半导体衬底；形成于半导体衬底内的第一N阱、P阱以及第二N阱；所述P阱分别与第一N阱以及第二N阱相邻；形成于第一N阱表面区域且相隔离的第一N+型注入区以及第一PMOS晶体管；形成于第二N阱表面区域且相隔离的第二N+型注入区以及第二PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的源极以及第二PMOS晶体管的漏极均与P阱相连接；所述第一N+型注入区与第一PMOS晶体管的漏极连接阳极，第二N+型注入区与第二PMOS晶体管的源极连接阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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