[发明专利]熔丝的熔断方法有效
| 申请号： | 200910198454.3 | 申请日： | 2009-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102054816A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种熔丝的熔断方法，所述熔丝与半导体存储器中的冗余存储单元相连，用于通过熔丝的熔断来激活冗余存储单元，在熔丝之上还覆盖有一层介质层，该方法包括：采用蚀刻工艺对熔丝上方的介质层进行蚀刻，并保留介质层中的N个长方体部分，每个长方体部分的高等于介质层的厚度，每个长方体部分的长等于熔丝的宽度，其中，N为正整数；采用激光将介质层中的长方体部分所隔离开的N-1段熔丝分别熔断。采用该方法能够提高备用存储单元激活的准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断 方法 | ||
【主权项】：
一种熔丝的熔断方法，所述熔丝与半导体存储器中的冗余存储单元相连，用于通过熔丝的熔断来激活冗余存储单元，在熔丝之上还覆盖有一层介质层，其特征在于，该方法包括：采用蚀刻工艺对熔丝上方的介质层进行蚀刻，并保留介质层中的N个长方体部分，每个长方体部分的高等于介质层的厚度，每个长方体部分的长等于熔丝的宽度，其中，N为正整数；采用激光将介质层中的长方体部分所隔离开的N‑1段熔丝分别熔断。
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