[发明专利]一种共电极薄SOI纵向双极型晶体管器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种共电极薄SOI纵向双极型晶体管器件及其制造方法。现有技术中晶体管未共用电极导致器件结构不紧凑和集成度低，另外基极引出区通过基极连接区与硅基极区相连，导致工艺复杂、基极输入电阻大和频率性能差。本发明的器件包括多个具有第一和第二晶体管的晶体管单元，第一和第二晶体管均具有依次层叠在顶层硅中的集电极区、硅基极区和硅射极区以及设在顶层硅上的多晶射极区，共用多晶基极区与第一和第二晶体管的硅基极区均连接且设置在第一和第二晶体管的多晶射极区之间并通过介质隔离结构与两者隔离，共用集电极引出区设在两相邻晶体管单元间且两端分别与两侧的集电极区连接。本发明结构紧凑、集成度高、基极输入电阻小和频率性能好。

主权项

一种共电极薄SOI纵向双极型晶体管器件，制作在顶层硅中，其特征在于，其包括多个晶体管单元，每一晶体管单元包括同类型的第一和第二晶体管，该第一和第二晶体管均具有依次层叠在顶层硅中的集电极区、硅基极区和硅射极区，还均具有设置在顶层硅上的多晶射极区，该硅射极区嵌设在硅基极区中；第一隔离结构设置在第一和第二晶体管间以隔离第一晶体管的集电极区、硅基极区和硅射极区与第二晶体管的集电极区、硅基极区和硅射极区；共用多晶基极区设置在第一和第二晶体管的多晶射极区之间且通过介质隔离结构与两者隔离，该共用多晶基极区与第一和第二晶体管的硅基极区均连接，第一和第二晶体管的多晶射极区的相对外侧均设置有侧墙；共用集电极引出区设置在两相邻晶体管单元间且其两端分别与两侧的集电极区连接，共用集电极引出区通过设置在两侧的第二隔离结构分别与两侧的硅基极区和硅射极区隔离。