[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200910198577.7 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054755A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王琪;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构及其形成方法，其中互连结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成第一金属层；在所述第一金属层表面形成介质层；在所述介质层内形成暴露所述第一金属层的接触孔开口；在接触孔开口暴露的所述第一金属层内形成倒锥状开口；在所述介质层表面形成填充所述倒锥状开口和接触孔开口的第二金属层。本发明能够改善现有技术中第二金属层与第一金属层为平面接触所导致的电学接触性能低下的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底表面形成第一金属层；在所述第一金属层表面形成介质层；在所述介质层内形成暴露所述第一金属层的接触孔开口；在接触孔开口暴露的所述第一金属层内形成倒锥状开口；在所述介质层表面形成填充所述倒锥状开口和接触孔开口的第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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