[发明专利]一种与非门闪存及其制造方法

摘要

本发明提供一种与非门闪存及其制造方法，该与非门闪存包括多个闪存单元，其中每一个闪存单元包括衬底，于该衬底内形成有有源区；遂穿介质层，形成于所述衬底上；浮动栅，形成于所述遂穿介质层上；隔离沟槽；栅间介质层，覆盖于所述浮动栅和所述隔离沟槽上；控制栅，覆盖于所述栅间介质层；本发明提供的制造与非门闪存的方法，在形成隔离沟槽之后，形成栅间介质层步骤之前，增加隔离沟槽刻蚀步骤，移除隔离沟槽内一定高度的填充物，使隔离沟槽内填充物的上表面低于浮动栅的上表面。通过以上所述的技术方案，本发明提供的与非门闪存通过增加浮动栅和控制栅的重叠面积，增加耦合率，提高闪存器件的性能。

主权项

一种与非门闪存，其包括多个闪存单元，其中每一个闪存单元包括：衬底，于该衬底内形成有源区；遂穿介质层，形成于所述衬底上；浮动栅，形成于所述遂穿介质层上；隔离沟槽，隔离有源区、遂穿介质层以及浮动栅；栅间介质层，覆盖于所述浮动栅和所述隔离沟槽上；控制栅，覆盖于所述栅间介质层；其特征在于：所述隔离沟槽内填充物的上表面低于浮动栅的上表面，所述栅间介质层覆盖于所述浮动栅以及所述隔离沟槽的侧壁和填充物的上表面。