[发明专利]一种与非门闪存及其制造方法无效
申请号: | 200910198585.1 | 申请日: | 2009-11-10 |
公开(公告)号: | CN102054841A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 蒋莉;彭洪修;金钟雨 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种与非门闪存及其制造方法,该与非门闪存包括多个闪存单元,其中每一个闪存单元包括衬底,于该衬底内形成有有源区;遂穿介质层,形成于所述衬底上;浮动栅,形成于所述遂穿介质层上;隔离沟槽;栅间介质层,覆盖于所述浮动栅和所述隔离沟槽上;控制栅,覆盖于所述栅间介质层;本发明提供的制造与非门闪存的方法,在形成隔离沟槽之后,形成栅间介质层步骤之前,增加隔离沟槽刻蚀步骤,移除隔离沟槽内一定高度的填充物,使隔离沟槽内填充物的上表面低于浮动栅的上表面。通过以上所述的技术方案,本发明提供的与非门闪存通过增加浮动栅和控制栅的重叠面积,增加耦合率,提高闪存器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 与非门 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种与非门闪存,其包括多个闪存单元,其中每一个闪存单元包括:衬底,于该衬底内形成有源区;遂穿介质层,形成于所述衬底上;浮动栅,形成于所述遂穿介质层上;隔离沟槽,隔离有源区、遂穿介质层以及浮动栅;栅间介质层,覆盖于所述浮动栅和所述隔离沟槽上;控制栅,覆盖于所述栅间介质层;其特征在于:所述隔离沟槽内填充物的上表面低于浮动栅的上表面,所述栅间介质层覆盖于所述浮动栅以及所述隔离沟槽的侧壁和填充物的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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