[发明专利]红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法

摘要

本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯片有源区实际厚度大一倍的技术方案，有效解决了红外辐射在红外焦平面列阵器件内部吸收率、内量子效率低的问题。本发明方法具有工艺完全兼容、稳定性好以及不降低光电转换效率的特点。

主权项

一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，其特征在于包括以下步骤：A.在光敏感元芯片在完成金属化电极制作后，采用光刻技术在光敏感元列阵芯片表面形成金属化电极区域的保护和非金属化区域钝化层的暴露的光刻胶掩蔽膜图形，光刻胶采用商用的AZ4620，光刻胶掩蔽膜厚度为2-8μm；B.采用双离子束镀膜技术，进行光敏感元列阵芯片内反射镜面金属层的金生长，工艺气体选用氩气，等离子体能量为600-1000eV，离子束流密度为0.08-0.12A/cm2，中和束流密度为0.10-0.15A/cm2，光敏感元列阵芯片内反射镜面金的生长速率为10-30nm/min，厚度为100-300nm；C.从双离子束镀膜机的真空样品台上取出完成内反射镜面金的光敏感元列阵芯片，采用丙酮溶液进行湿法浮胶的剥离技术，去除红外焦平面光敏感列阵芯片金属化电极区域的金和光刻胶掩蔽膜图形，获得光敏感元列阵芯片内反射镜面结构；D.进行后续的红外焦平面探测器光敏感元列阵芯片铟柱列阵的的制作。