[发明专利]红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法

摘要

本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在常规结构的红外焦平面探测器的四个角增加四个大铟堆桥墩，以实现常规结构红外焦平面探测器混成互连铟焊点同时作为机械连通和电学连通双重功能的分离的技术方案，有效解决了混成互连铟焊点因受冷热温度循环冲击疲劳而限制红外焦平面列阵器件使用寿命的问题。本发明方法具有操作简单方便、无需经受高温处理和不影响器件探测性能的特点。

主权项

一种红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法，其特征在于包括以下步骤：A.采用双离子束镀膜的方法，在红外焦平面光敏感列阵芯片和读出电路四个角分别制备用于生长铟堆桥墩的底座，底座大小为40000-1000000μm2，底座材料为与铟堆桥墩亲润的铬/金复合层，铬的厚度为30-80nm，金的厚度为100-300nm；B.采用传统的光刻技术，在红外焦平面光敏感列阵芯片和读出电路表面，制作用于生长混成互连铟焊点列阵和铟堆桥墩的光刻胶掩模图形，光刻胶掩模图形厚度为8-15μm；C.采用的热蒸发镀膜技术，于红外焦平面光敏感列阵芯片和读出电路表面光刻胶掩模图形上，生长6-13μm厚的铟薄膜；D.采用干法剥离技术，去除红外焦平面光敏感列阵芯片和读出电路表面混成互连铟焊点列阵和铟堆桥墩以外区域的铟薄膜，再用丙酮、酒精溶液去除光刻胶获得混成互连铟焊点列阵和铟堆桥墩，铟焊点和铟堆桥墩高度为6-13μm；E.采用在室温下冷压焊的倒装芯片技术，将红外焦平面光敏感列阵芯片(1)和读出电路(2)混成互连，获得混成互连铟焊点寿命提高的红外焦平面列阵器件。