[发明专利]碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法

摘要

本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。

主权项

一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，其特征在于包括以下步骤：A.采用传统的光刻技术，在HgCdTe红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，掩蔽膜厚度为1-6μm，掩蔽膜图形开口宽度为1-8μm；B.采用旋转涂敷的方法，往光刻胶掩蔽膜的沟槽图形内填充腐蚀碲镉汞材料的溴与氢溴酸腐蚀液，溴与氢溴酸的体积配比为0.1-1％∶1，旋转涂敷的转速为1000-4000转/分钟，旋转涂敷时间为10-40秒；C.通过控制腐蚀时间来达到控制HgCdTe微台面芯片隔离沟槽的腐蚀深度，腐蚀时间为5-150秒；D.腐蚀完用去离子水清洗碲镉汞红外焦平面探测芯片光敏感元列阵隔离沟槽内残余的腐蚀液，再用丙酮去除深微台面芯片光敏感元列阵表层的光刻胶掩蔽膜图形，最终完成深微台面芯片光敏感元列阵的高占空比成形。