[发明专利]一种超长芯-壳结构硅纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 200910199052.5 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101704500A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋最敏;聂天晓;樊永良;张翔九 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种超长芯-壳结构硅纳米线及其制备方法。这种硅纳米线具有直径小，长度长，结晶性良好，氧化硅壳层厚等特点。其中纳米线的直径为5nm左右，长度可达数十微米至数百微米。硅纳米线的生长方向为[111]方向。包围于硅纳米线外围的氧化硅壳层厚度为25nm左右。厚实的氧化硅壳层，将提高硅纳米线的机械强度，增强硅纳米线的抗氧化能力，使硅纳米线的物理性质保持稳定。超长的硅纳米线将使该纳米材料获得更广泛更方便的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超长 结构 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1一种超长芯-壳结构的硅纳米线，其特征是：中间的芯为硅纳米线，直径为5～5.5nm，硅纳米线的生长方向为[111]方向，长度为50微米～800微米；壳层为非晶态氧化硅，厚度为22～28nm。
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