[发明专利]一种相变存储器的擦写方法有效
| 申请号： | 200910199256.9 | 申请日： | 2009-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101699562A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 龚岳峰;宋志棠;凌云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10;G11C16//14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟;冯珺 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，进行擦操作时，首先对器件中的相变材料施加一个脉高较低的脉冲，所述脉冲使相变材料恰好达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；然后继续施加多个脉高较低的脉冲，在相变材料中累积非晶区域，直至器件从低阻态转到高阻态。本发明通过累积作用实现存储器的擦写操作，一方面低脉高产生的低热量有利于材料稳定性，另一方面低脉高能够保证相变存储器在要求低编程电流(电压)环境下的应用，在不改变相变存储器器件结构的情况下，降低了器件功耗，大大节省了优化器件结构的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 擦写 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的擦写方法，其特征在于：进行擦操作时，包括以下步骤：步骤一，对器件中的相变材料施加一个脉冲，所述脉冲使相变材料达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；步骤二，对器件中的相变材料继续施加多个脉冲，在相变材料中累积非晶区域，直至器件从低阻态转到高阻态。
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