[发明专利]掺钕的硅酸钇钆激光晶体及其制备方法无效
申请号: | 200910199528.5 | 申请日: | 2009-11-27 |
公开(公告)号: | CN101709507A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 徐晓东;李东振;吴锋;成诗恕;程艳;周大华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C30B29/34 | 分类号: | C30B29/34 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇钆激光晶体,其特征在于该激光晶体的分子式为(NdyGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5,其中y的取值范围为0.005~0.01,x的取值范围为0<x<1。采用熔体法生长该掺钕的硅酸钇钆激光晶体。该掺钕的硅酸钇钆激光晶体可以采用商业化的AlGaAs激光二极管作为十分有效的泵浦光源,并具有大的发射带宽,有利于宽波长调谐和实现锁模飞秒脉冲激光输出。 | ||
搜索关键词: | 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇钆激光晶体,其特征在于该激光晶体的分子式为(NdyGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5,其中y的取值范围为0.005~0.01,x的取值范围为0<x<1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所,未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910199528.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶闸管的交流信号过零时序精密检测装置
- 下一篇:燃气弱爆炸波清灰除尘器