[发明专利]用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法无效
申请号: | 200910199555.2 | 申请日: | 2009-11-26 |
公开(公告)号: | CN101710568A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 史伟民;金晶;陈盛;陈洁利;余俊阳;黄璐 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/30;H01L31/18 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为:(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底,并进行洁净处理;(2)非晶硅薄膜的制备,用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜;用硅烷与氢气的混合气体为反应气体;(3)配制醋酸镍溶液;(4)涂覆醋酸镍溶液,随后热处理,温度为500~550℃,处理4~6小时,最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60~80%,晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。 | ||
搜索关键词: | 醋酸 溶液 诱导 晶化非晶硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:a.衬底材料的预处理:采用镀有一层氧化铟锡(ITO)的普通玻璃作为衬底材料;用去离子水和丙酮分别进行超声清洗,直到衬底ITO玻璃表面洁净,烘干后放入等离子体化学气相沉积装置的反应室内做下一部处理;b.非晶硅薄膜的制备:先用扩散泵对反应室抽真空至5~7Pa,然后用分子泵对反应室抽真空至10-4Pa以下,通入反应气体即硅烷与氢气的混合气体,进行气相沉积,使镀有ITO层的玻璃衬底上沉积一层非晶硅薄膜;沉积时衬底的温度为150℃~250℃,沉积压强即真空度为1.1Torr,沉积薄膜厚度为200~300nm;c.醋酸镍溶液的配置:将四水醋酸镍晶体溶于去离子水中,配置成质量浓度为0.05~0.25%的镍盐溶液;d.涂覆醋酸镍溶液,经处理,使金属镍离子诱导晶化上述玻璃衬底上的非晶硅薄膜:(1)将上述的非晶硅薄膜置于匀胶机上,先旋涂一层氢氧化钠溶液作为亲和剂,随后再旋涂上上述配置好的醋酸镍溶液;匀胶机转速为1500~2100rpm;(2)烘干或风干上述样品;(3)热处理:将干燥后的样品放入热处理炉内,通入氮气,在500~550℃下加热处理4~6小时;(4)将热处理后的样品放于38%的盐酸中浸泡一段时间以去除样品表面残留的镍盐和氢氧化钠;最终制得由金属镍离子诱导晶化的微晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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