[发明专利]用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200910199555.2 申请日: 2009-11-26
公开(公告)号: CN101710568A 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 史伟民;金晶;陈盛;陈洁利;余俊阳;黄璐 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/30;H01L31/18
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为:(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底,并进行洁净处理;(2)非晶硅薄膜的制备,用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜;用硅烷与氢气的混合气体为反应气体;(3)配制醋酸镍溶液;(4)涂覆醋酸镍溶液,随后热处理,温度为500~550℃,处理4~6小时,最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60~80%,晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。
搜索关键词: 醋酸 溶液 诱导 晶化非晶硅 薄膜 方法
【主权项】:
一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法,其特征在于具有以下的过程和步骤:a.衬底材料的预处理:采用镀有一层氧化铟锡(ITO)的普通玻璃作为衬底材料;用去离子水和丙酮分别进行超声清洗,直到衬底ITO玻璃表面洁净,烘干后放入等离子体化学气相沉积装置的反应室内做下一部处理;b.非晶硅薄膜的制备:先用扩散泵对反应室抽真空至5~7Pa,然后用分子泵对反应室抽真空至10-4Pa以下,通入反应气体即硅烷与氢气的混合气体,进行气相沉积,使镀有ITO层的玻璃衬底上沉积一层非晶硅薄膜;沉积时衬底的温度为150℃~250℃,沉积压强即真空度为1.1Torr,沉积薄膜厚度为200~300nm;c.醋酸镍溶液的配置:将四水醋酸镍晶体溶于去离子水中,配置成质量浓度为0.05~0.25%的镍盐溶液;d.涂覆醋酸镍溶液,经处理,使金属镍离子诱导晶化上述玻璃衬底上的非晶硅薄膜:(1)将上述的非晶硅薄膜置于匀胶机上,先旋涂一层氢氧化钠溶液作为亲和剂,随后再旋涂上上述配置好的醋酸镍溶液;匀胶机转速为1500~2100rpm;(2)烘干或风干上述样品;(3)热处理:将干燥后的样品放入热处理炉内,通入氮气,在500~550℃下加热处理4~6小时;(4)将热处理后的样品放于38%的盐酸中浸泡一段时间以去除样品表面残留的镍盐和氢氧化钠;最终制得由金属镍离子诱导晶化的微晶硅薄膜。
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