[发明专利]I/O单元及集成电路芯片有效

专利信息
申请号: 200910199653.6 申请日: 2009-11-26
公开(公告)号: CN102082424A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 单毅 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02H9/00 分类号: H02H9/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种I/O单元及集成电路芯片。所述I/O单元包括:N型静电放电保护电路、P型静电放电保护电路、焊盘以及I/O逻辑电路,其中N型静电放电保护电路和P型静电放电保护电路横向相邻,焊盘覆盖部分N型静电放电保护电路和P型静电放电保护电路,I/O逻辑电路与焊盘、N型静电放电保护电路、P型静电放电保护电路构成的叠层结构纵向相邻,N型静电放电保护电路与接地线相连,P型静电放电保护电路与电源线相连。所述I/O单元的面积较小,相应提供给集成电路芯片的核心电路区域的可布局布线面积更大,减小了核心电路区域布局布线的难度。在核心电路面积一定的情况下,包括所述I/O单元的集成电路芯片具有更小的面积。
搜索关键词: 单元 集成电路 芯片
【主权项】:
一种I/O单元,其特征在于,包括:N型静电放电保护电路、P型静电放电保护电路、焊盘以及I/O逻辑电路,其中N型静电放电保护电路和P型静电放电保护电路横向相邻,焊盘覆盖部分N型静电放电保护电路和P型静电放电保护电路,I/O逻辑电路与焊盘、N型静电放电保护电路、P型静电放电保护电路构成的叠层结构纵向相邻,N型静电放电保护电路与接地线相连,P型静电放电保护电路与电源线相连。
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