[发明专利]混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为n型的Ge材料，所述的第二沟道为p型的Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在反型工作模式下，采用圆柱体全包围栅结构，高介电常数栅介质和金属栅，可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应等。

主权项

一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：底层半导体衬底、具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及一个栅区域，其特征在于：所述第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述第一沟道为n型Ge材料，所述第二沟道为p型Si材料；所述栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在所述PMOS区域与NMOS区域之间，除栅区域以外，设有第一埋层氧化层；在所述PMOS区域与所述底层半导体衬底之间或NMOS区域与所述底层半导体衬底之间，除栅区域以外，设有第二埋层氧化层。