[发明专利]动态随机存取存储器及其电容器的制造方法有效
| 申请号： | 200910200000.5 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102087959A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 廖国彰;宋卫军;廖端泉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种动态随机存取存储器的电容器的制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上先后形成垫氧化层、氮化硅层、层间绝缘层和掩膜层；图形化掩膜层，在掩膜层中形成开口；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻所述层间绝缘层、氮化硅层和垫氧化层直至露出所述衬底时停止蚀刻，形成贯穿层间绝缘层的第一沟槽、贯穿氮化硅层和垫氧化层的第二沟槽；在所述衬底的露出区域上形成保护层；移除所述掩膜层；以层间绝缘层为掩膜，蚀刻所述保护层和衬底露出区域而在衬底上形成第三沟槽。本发明由于包括形成保护层的步骤，因此，衬底不会被损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 及其 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器的电容器的制造方法，其特征在于：包括：提供衬底，在所述衬底上先后形成垫氧化层、氮化硅层、层间绝缘层和掩膜层；图形化掩膜层，在掩膜层中形成开口；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻所述层间绝缘层、氮化硅层和垫氧化层直至露出所述衬底时停止蚀刻，形成贯穿层间绝缘层的第一沟槽、贯穿氮化硅层和垫氧化层的第二沟槽；在所述衬底的露出区域上形成保护层；移除所述掩膜层；以层间绝缘层为掩膜，蚀刻所述保护层和衬底露出区域而在衬底上形成第三沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
