[发明专利]一种互补隧穿晶体管结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200910200625.1 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101771050A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L29/12;H01L29/06;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种源极为窄禁带宽度的互补隧穿晶体管(CTFET)结构及其制备方法。该互补隧穿晶体管由源极为窄禁带宽度的U形N型隧穿晶体管(NTFET)和U形P型隧穿晶体管(PTFET)组成。对于N型隧穿晶体管，使用SiGe、Ge等材料，对于P型隧穿晶体管，使用AsGa、InAsGa等材料。由于该CTFET采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流得到提升，同时，由于该CTFET采用了U形沟道结构，其漏电流也得到了抑制。本发明提出的CTFET具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种互补隧穿晶体管结构，其特征在于，该互补隧穿晶体管由源极为窄禁带宽度的N型隧穿晶体管和P型隧穿晶体管组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910200625.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
