[发明专利]一种高分辨率高线性数控振荡器无效
| 申请号： | 200910200798.3 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102111151A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 何捷 | 申请（专利权）人： | 何捷 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于集成电路领域，所涉及数控振荡器是构成全数字集成锁相环的核心模块。本发明基于阶跃电容的压控振荡器线性原理，提出了实现更高频率分辨率的数控振荡器的技术和电路结构。在相同工艺的条件下，可以将现有的数控振荡器的分辨率的分辨率提高至少两个比特，并且降低了寄生电容对数控振荡器线性度的影响。本发明也可以作为采用Sigma-Delta技术实现具有分数分辨率的数控振荡器核心，降低数控振荡器量化噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高分辨率 线性 数控 振荡器 | ||
【主权项】：
权利1是由电容和金属氧化物半导体(MOS)开关串联组成的单控制端压控可变电容器结构。ctrl是电压控制端，a，b是变容器信号端口；电容是集成电路工艺中可以实现的电容结构：如MIM电容或者Poly电容，开关是N型金属氧化物半导体(NMOS)或者P型金属氧化物半导体(PMOS)；变容器的结构可以是图1中所示的任一种形式或任何类似由电容和开关组成形式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于何捷，未经何捷许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910200798.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：石墨烯和金属氧化物材料的纳米复合材料
- 下一篇：高精度定位夹具
