[发明专利]一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺。其结构包括位于埋层氧化层上的P型半导体区、位于P型半导体区上的N型半导体区以及位于N型半导体区上的栅极区，N型半导体区、P型半导体区四周设有电隔离区。利用隔离的浮体栅二极管作存储节点，通过带与带间的隧道穿透，电子在浮体积聚定义为第一种存储状态；通过PN结正向偏置，电子从浮体发射出去或者空穴注入到浮体，定义为第二种存储状态；这两种状态造成浮体栅二极管(N+/P+)正向开启电压的差异，通过电流的大小可以感知。本发明是一种高效低功耗高密度栅二极管(N+/P+)浮体存储器单元，具备制作工艺简单、集成密度高、成本低廉及可靠性高等优点。

主权项

一种浮体动态随机存储器的单元结构，其特征在于：包括埋层氧化层、位于埋层氧化层上的第一P型半导体区、位于第一P型半导体区上的N型半导体区以及位于N型半导体区上的栅极区，所述栅极区包括栅介质层及位于栅介质层上的栅电极；在N型半导体区的一侧设有第二P型半导体区，并且第二P型半导体区与第一P型半导体区相连通；在N型半导体区、第一P型半导体区和第二P型半导体区形成的有源区周围设有电隔离区，将N型半导体区、第一P型半导体区和第二P型半导体区与其他单元隔离；第一P型半导体区及第二P型半导体区与N型半导体区形成的耗尽区和电隔离区包围形成浮体；在所述第二P型半导体区上设有位线电极。