[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法

摘要

本发明公开了浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。本发明方案能够缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差的变化范围。

主权项

一种浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物：如果SH2低于浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的下限值SH2D，则用SH2D减去SH2，得到相减值；用浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值减去所述相减值，得到相减后的值M3；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M3的去除处理；如果SH2高于浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围的上限值SH2H，则用SH2减去SH2H，得到相减值；用浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值加上所述相减值，得到相加后的值M4；对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物进行高度为M4的去除处理；如果SH2在浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间高度差标准范围内，则对浅沟槽内氧化物和浅沟槽外氧化物，进行高度为浅沟槽内外氧化物的目标去除高度值的去除处理。