[发明专利]接触孔和接触孔的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法：对层间介质层进行第一步主刻蚀，将刻蚀进行到氮化层的上方时停止；对所述层间介质层进行第二步主刻蚀，以层间介质层下的氮化层作为刻蚀终止层；所述第一步主刻蚀采用的源功率为1500～3000瓦；偏置功率为2000～4000瓦；氩气的流量为500～1500sccm；所述第二步主刻蚀采用的源功率为500～2000瓦；偏置功率为500～2000瓦；氦气的流量为100～1000sccm。本发明还公开了采用上述方法形成的接触孔。本发明形成的接触孔，增加了接触孔金属空隙填充能力，提高了接触孔Rc均匀性，减少了CT open缺陷，减少了接触孔和栅极结构相连通而短路的可能。

主权项

一种接触孔的刻蚀方法，所述刻蚀在刻蚀反应腔内进行，该方法包括：在层间介质层表面依次涂布底部抗反射层和光阻胶层，对所述光阻胶层进行曝光显影，定义接触孔的位置，然后以曝光显影后的光阻胶层为掩膜，对其下的底部抗反射层进行刻蚀；以曝光显影后的光阻胶层和底部抗反射层为掩膜，对所述层间介质层进行第一步主刻蚀，将刻蚀进行到氮化层的上方时停止；所述刻蚀气体包括四氟化碳；对所述层间介质层进行第二步主刻蚀，以层间介质层下的氮化层作为刻蚀终止层；所述刻蚀气体包括碳元素和氟元素的比例大于1∶4的气体；所述光阻胶层以及底部抗反射层的灰化；去除接触孔底面剩余的氮化层，以显露出下面的金属硅化物层；其特征在于，所述第一步主刻蚀采用的源功率为1500～3000瓦；偏置功率为2000～4000瓦；稀释气体氩气的流量为500～1500标准立方厘米每分钟sccm；所述第二步主刻蚀采用的源功率为500～2000瓦；偏置功率为500～2000瓦；稀释气体氦气的流量为100～1000sccm。