[发明专利]互补型金属氧化物半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 200910201075.5 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102097380A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;韩秋华;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体结构的形成方法：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；在所述区域表面依次沉积具有张应力的氮化硅层和HMO；在HMO的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化该光阻胶层，使图案化的光阻胶层开口显露出第一区域上的HMO，覆盖第二区域上的HMO；以图案化的光阻胶层为掩膜，对显露出的第一区域上的HMO进行刻蚀；灰化去除所述图案化的光阻胶层的一部分；以剩余部分的光阻胶层和第二区域上的HMO为掩膜，去除第一区域上具有张应力的氮化硅层，显露出第一区域，而且剩余部分的光阻胶层消耗完毕。该方法有效减少第二区域上HMO的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互补型金属氧化物半导体结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构的第一区域和具有NMOS结构的第二区域；在所述区域的表面依次沉积具有张应力tensile stress的氮化硅层和硬掩膜氧化层HMO；在所述HMO的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化该光阻胶层，使得图案化的光阻胶层的开口显露出第一区域上的HMO，同时覆盖第二区域上的HMO；以图案化的光阻胶层为掩膜，对显露出的第一区域上的HMO进行刻蚀；灰化去除所述图案化的光阻胶层的一部分；以剩余部分的光阻胶层和第二区域上的HMO为掩膜，对第一区域上具有tensile stress的氮化硅层进行去除，显露出第一区域，而且所述剩余部分的光阻胶层消耗完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
