[发明专利]掺氮的碳化硅薄膜的形成方法有效
| 申请号： | 200910201179.6 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097304A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺氮的碳化硅薄膜的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掺氮的碳化硅薄膜，形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体包括：四甲基硅烷和氨气；形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体还包括氮气。本发明形成的掺氮的碳化硅薄膜反射率差异值范围小，性质均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种掺氮的碳化硅薄膜的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掺氮的碳化硅薄膜，形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体包括：四甲基硅烷和氨气；其特征在于，形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体还包括氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
