[发明专利]一种金属硅化物埋层的结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200910201268.0 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752408A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种金属硅化物埋层的结构及其形成方法。该埋层结构包括至少一个半导体衬底和一层置于该半导体衬底内部的金属硅化物埋层。该金属硅化物埋层可以用做竖直沟道晶体管的埋层源极或漏极的电极，也可以用来形成器件之间的互联，特别适合于用来形成竖直沟道器件阵列之间的互联。本发明提出的金属硅化物埋层采用自对准的工艺形成，方法简单，可以提高半导体芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 化物埋层 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅化物埋层结构，其特征在于，该埋层结构包括至少一个半导体衬底和一层置于该半导体衬底内部的金属硅化物埋层。
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