[发明专利]一种带有写重传功能的多通道NANDflash控制器有效
| 申请号： | 200910201375.3 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102103558A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 迟志刚;居晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F13/28 | 分类号： | G06F13/28;G06F12/08 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 曹立维 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有写重传功能的多通道NANDflash控制器，包含微控制器、设备控制器、设备端DMA控制器、片内存储器控制逻辑、片内存储器、片外存储器控制逻辑、片外存储器、写重传FIFO、写重传缓存区写入控制逻辑、NANDflash DMA控制器、ECC编码器、ECC解码器、数据缓存区、NANDflash接口控制逻辑。通过采用片外存储器作为写重传缓存区，在写Nandflash失败时能直接从片外存储器取出数据重新写入，从而以很小的硬件设计大大缩短了写Nandflash失败的处理时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 传功 通道 nandflash 控制器 | ||
【主权项】：
一种带有写重传功能的多通道NANDflash控制器，包含微控制器、设备控制器、设备端DMA控制器、片内存储器控制逻辑单元、片内存储器、NANDflash DMA控制器、ECC编码器、ECC解码器、数据缓存区和NANDflash接口控制逻辑单元，其特征在于：还包含写重传FIFO、写重传缓存区写入控制逻辑单元、片外存储器控制逻辑单元和片外存储器。
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