[发明专利]光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910201464.8 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102096310A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种光刻胶图案的修正方法和刻蚀方法。其中光刻胶图案的修正方法，包括：在中间膜层上形成光刻胶图案层；根据所述光刻胶图案层中光刻胶图案的实际尺寸和欲获得的目标尺寸，获得对所述光刻胶图案的修正值；根据所述修正值设定离子注入的参数；对所述光刻胶图案层中的光刻胶侧壁进行倾斜离子注入，使所述光刻胶的侧壁内缩，以将所述光刻胶图案的实际尺寸修正为所述欲获得的目标尺寸。本发明实施例提供的方法操作简单易行，大大提高了效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图案 修正 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种光刻胶图案的修正方法，其特征在于，包括：在中间膜层上形成光刻胶图案层；根据所述光刻胶图案层中光刻胶图案的实际尺寸和欲获得的目标尺寸，获得对所述光刻胶图案的修正值；根据所述修正值设定离子注入的参数；对所述光刻胶图案层中的光刻胶侧壁进行倾斜离子注入，使所述光刻胶的侧壁内缩，以将所述光刻胶图案的实际尺寸修正为所述欲获得的目标尺寸。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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