[发明专利]多晶硅离子注入工艺无效
| 申请号： | 200910201684.0 | 申请日： | 2009-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102044420A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/314;H01L21/28;C09K13/04;C09K13/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅离子注入工艺，所述多晶硅层之下为隧穿氧化层，所述多晶硅层之上为氧化物-氮化物-氧化物层；包括如下步骤：第1步，在多晶硅层上淀积一层保护层；第2步，在保护层上采用光刻工艺形成离子注入窗口；第3步，采用离子注入工艺进行p型或n型杂质注入，在离子注入窗口中的多晶硅上形成离子注入层；第4步，采用干法刻蚀工艺去除光刻胶；第5步，采用湿法腐蚀工艺去除保护层。本发明有利于保护多晶硅层的厚度和上表面形态，适合应用于多晶硅层之下具有隧穿氧化层、多晶硅层之上具有ONO层的器件制造工艺之中，特别适合应用于SiGe异质结MOS器件、BCD工艺制造的MOS器件、或EEPROM器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 离子 注入 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅离子注入工艺，所述多晶硅层之下为隧穿氧化层，所述多晶硅层之上为氧化物‑氮化物‑氧化物层；其特征是，所述多晶硅离子注入工艺包括如下步骤：第1步，在多晶硅层上淀积一层保护层；第2步，在保护层上采用光刻工艺形成离子注入窗口；第3步，采用离子注入工艺进行p型或n型杂质注入，在离子注入窗口中的多晶硅上形成离子注入层；第4步，采用干法刻蚀工艺去除光刻胶；第5步，采用湿法腐蚀工艺去除保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
