[发明专利]SONOS闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910201779.2 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102054842A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 孙勤;杨欣 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/51;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS闪存器件，其栅结构为多晶硅栅-控制氧化层-氮化硅陷阱层-隧穿氧化层-硅衬底，所述控制氧化层是由结构为第三层氧化膜-第二层氮化膜-第一层氧化膜的ONO多层膜组成。所述SONOS闪存器件能提高可靠性并能抑制栅电极注入。本发明还公开了一种SONOS闪存器件制造方法，包括：隧穿氧化层成膜；氮化硅陷阱层制备；第一层氧化膜制备；第二层氮化膜制备；第三层氧化膜制备。所述SONOS闪存器件制造方法具有工艺比较简单，易于集成，成本低，可以用于批量生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS闪存器件，其栅结构为多晶硅栅‑控制氧化层‑氮化硅陷阱层‑隧穿氧化层‑硅衬底，其特征在于：所述控制氧化层是由结构为第三层氧化膜‑第二层氮化膜‑第一层氧化膜的ONO多层膜组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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