[发明专利]MTP器件的单元结构有效
| 申请号： | 200910201836.7 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102063938A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MTP器件的单元结构，使用p型衬底(41)和p阱(42)横向隔离n阱(24)和n阱(34)，并且只让p型衬底(41)与n阱(34)横向接触。这可以提供更大的击穿电压，有利于提高擦除电压。同时本发明又在n阱(24)和n阱(34)之间增加了p阱(42)，并且p阱(42)不与n阱(34)直接接触，这样寄生MOS管(40)的沟道区中p型杂质的掺杂浓度提高，而提高了寄生MOS管(40)的开启电压，这也有利于提高擦除电压。从以上两方面因素共同提高了MTP器件的单元结构所能施加的擦除电压的最高值，从而可以获得更快的擦除速度和更好的擦除效果。 | ||
| 搜索关键词： | mtp 器件 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种MTP器件的单元结构，其特征是，包括选择晶体管(10)、编程晶体管(20)和擦除晶体管(30)；选择晶体管(10)位于n阱(14)中，编程晶体管(20)位于n阱(24)中，n阱(14)与n阱(24)为同一个或不同n阱；擦除晶体管(30)位于n阱(34)中，n阱(34)与n阱(14)、n阱(24)相比是独立的n阱；选择晶体管(10)的源极(11)与n阱(14)、n阱(24)三者相连接，并作为编程端(WL)；选择晶体管(10)的栅极(12)作为选择端(SG)；选择晶体管(10)的漏极(13)与编程晶体管(20)的源极(21)相连接；编程晶体管(20)的栅极与擦除晶体管(30)的栅极为同一个浮栅(22)；编程晶体管(20)的漏极(23)作为漏端(BL)；擦除晶体管(30)的源极(31)、漏极(33)和n阱(34)三者相连接，并作为擦除端(EG)；所述n阱(24)与n阱(34)之间有场区(43)隔离，所述场区(43)下表面直接接触有p型衬底(41)和p阱(42)，并且n阱(34)的侧壁仅与p型衬底(41)接触。
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