[发明专利]应用锗硅工艺的多晶二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200910201867.2 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102082182A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘梅;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用锗硅工艺的多晶二极管及其制作方法；包括：场氧化区域；在场氧化区域之上有第一层多晶硅；在第一层多晶硅之上设置有多晶锗硅层；在多晶锗硅层之上设置有第二层多晶硅；在所述第一层多晶硅和第二层多晶硅上引出金属层，在多晶锗硅层上引出金属层。本发明基于已有的锗硅工艺，开发出异质结纵向二极管结构，可用于静电保护等运用。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 工艺 多晶 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种应用锗硅工艺的多晶二极管；其特征在于，包括：场氧化区域；在场氧化区域之上设置有第一层多晶硅；在第一层多晶硅之上设置有多晶锗硅层；在多晶锗硅层之上设置有第二层多晶硅；在所述第一层多晶硅和第二层多晶硅上引出金属层，在多晶锗硅层上引出金属层。
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