[发明专利]获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的方法

摘要

本发明公开了一种获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的方法，在硅衬底或硅外延层上沉积第一硬掩膜；在第一硬掩膜上沉积第二硬掩膜；在需要形成沟槽的地方把两层硬掩膜去除；用干法刻蚀在硅衬底或硅外延层中形成沟槽；用湿法刻蚀对第一硬掩膜进行刻蚀，从所述沟槽口处向两侧横向刻蚀掉部分位于硅衬底或硅外延层与第二层硬掩膜之间的第一层硬掩膜；用湿法或干法刻蚀剥离掉所述第二硬掩膜；用卤化氢气体对所述沟槽进行再刻蚀，使沟槽侧壁形成一定的倾斜度；用湿法或干法刻蚀去除第一硬掩膜。本发明能够有效改变深沟槽的倾斜度，降低沟槽填充的难度。

主权项

一种获得倾斜沟槽结构或改变沟槽结构倾斜角的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底或硅外延层上沉积第一硬掩膜；步骤二、在第一硬掩膜上沉积第二硬掩膜；步骤三、在需要形成沟槽的地方把两层硬掩膜去除；步骤四、用干法刻蚀在硅衬底或硅外延层中形成沟槽；步骤五、用湿法刻蚀对第一硬掩膜进行刻蚀，从所述沟槽口处向两侧横向刻蚀掉部分位于硅衬底或硅外延层与第二层硬掩膜之间的第一层硬掩膜；步骤六、用湿法或干法刻蚀剥离掉所述第二硬掩膜；步骤七、用卤化氢气体对所述沟槽进行再刻蚀，使沟槽侧壁形成一定的倾斜度；步骤八、用湿法或干法刻蚀去除第一硬掩膜。