[发明专利]功率NMOS器件的制备方法无效
| 申请号： | 200910201929.X | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097321A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;曹俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率NMOS器件的制备方法，其为在所述功率NMOS器件的N+源区形成之后，包括如下步骤：(1)在上述形成的结构上淀积层间膜；(2)利用光刻工艺定义出接触孔的图形，刻蚀层间膜形成接触孔；(3)采用离子注入工艺，在接触孔底部先注入氮，再注入硼，接着进行热退火处理使接触孔底部形成的P+注入区与所述功率MOS器件的体区相接。(4)接着采用常规工艺步骤完成所述功率MOS器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 nmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率NMOS器件的制备方法，其特征在于，在所述功率NMOS器件的N+源区形成之后，包括如下步骤：(1)在上述形成的结构上淀积层间膜；(2)利用光刻工艺定义出接触孔的图形，刻蚀层间膜形成接触孔；(3)采用离子注入工艺，在接触孔底部先注入氮，再注入硼，接着进行热退火处理使接触孔底部形成的P+注入区与所述功率MOS器件的体区相接；(4)接着采用常规工艺步骤完成所述功率MOS器件的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
