[发明专利]EEPROM器件制备中ONO层的制备方法无效
| 申请号： | 200910201942.5 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097309A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 孙庭辉;徐丹;左燕丽 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM器件制备中ONO层的制备方法，该EEPROM器件包含外围电路和EEPROM单元，在EEPROM器件中的EEPROM单元栅氧刻蚀中，保留外围电路处的EEPROM单元栅氧；而在ONO层淀积之后的刻蚀工艺中，先采用干法刻蚀工艺，去除外围电路和EEPROM单元上的第二层氧化物、中间氮化物、第一层氧化物和部分EEPROM单元栅氧，而后采用湿法腐蚀工艺去除剩余的EEPROM单元栅氧。采用本发明的制备方法，仅有一次干刻和一次湿刻，有效的降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 器件 制备 ono 方法 | ||
【主权项】：
一种EEPROM器件制备中ONO层的制备方法，所述EEPROM器件包含外围电路和EEPROM单元，其特征在于：在所述EEPROM器件中的EEPROM单元栅氧刻蚀中，保留外围电路处的EEPROM单元栅氧；而在ONO层淀积之后的刻蚀工艺中，先采用干法刻蚀工艺，去除所述外围电路和EEPROM单元上的第二层氧化物、中间氮化物、第一层氧化物和部分所述EEPROM单元栅氧，而后采用湿法腐蚀工艺去除剩余的所述EEPROM单元栅氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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