[发明专利]集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法，在形成有漏区和漂移区的硅衬底上形成栅极；接着进行体区光刻，在需要形成肖特基二极管的区域要用光刻胶做阻挡层，防止肖特基二极管的区域注入体区的离子；体区注入；源区光刻；源区注入；欧姆接触区光刻；欧姆接触区P型重掺杂离子注入；源极深槽接触孔光刻；刻蚀形成源极深槽接触孔；在源极深槽接触孔底部进行肖特基二极管掺杂离子注入；在所述源极深槽接触孔内填充金属形成源极深槽接触、在漏区中形成漏极。本发明能保证所制备的集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的性能稳定，同时能减少注入设备的损伤、从而降低生产成本。

主权项

一种集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法，在形成有第一导电类型的漏区和漂移区的硅衬底上形成栅极；其特征在于，还包括如下步骤：步骤一、体区光刻，定义所述体区的位置，形成所述体区的光刻胶图形，在需要形成肖特基二极管的区域要用光刻胶做阻挡层，防止肖特基二极管的区域注入体区的离子；步骤二、以光刻胶为掩膜，在所述体区注入第二导电类型离子杂质、去除光刻胶、对杂质进行退火推进；步骤三、源区光刻，定义所述源区的位置，形成所述源区的光刻胶图形；步骤四、以光刻胶为掩膜，在源区注入第一导电类型离子杂质、去除光刻胶、对杂质进行退火推进；步骤五、欧姆接触区光刻，定义所述欧姆接触区的位置，形成所述欧姆接触区的光刻胶图形；步骤六、以光刻胶为掩膜，进行欧姆接触区P型重掺杂离子注入、去除光刻胶、对杂质进行退火推进；步骤七、源极深槽接触孔光刻，定义所述源极深槽接触孔的位置，形成所述源极深槽接触孔区域的光刻胶图形；步骤八、以光刻胶为掩膜，刻蚀形成所述源极深槽接触孔、并去除光刻胶；步骤九、在所述源极深槽接触孔底部进行具有第一导电类型的肖特基二极管掺杂离子注入；步骤十、在所述源极深槽接触孔内填充金属形成源极深槽接触、在漏区中形成漏极。