[发明专利]功率MOS晶体管的结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200910201969.4 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102104068A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;王星杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS晶体管的阵列结构，其为将功率MOS晶体管漏端上的栅极设置为分离的两段，且每段栅极下方和源端下方均设置有导电类型与体区相同的阱。本发明还公开了一种功率MOS晶体管的阵列结构的制备方法，为：在外延层上离子注入形成阱，所述阱的导电类型与所述功率MOS晶体管中的体区相同；在多晶硅淀积之后，刻蚀去除源区上方的多晶硅；而在离子注入形成源区之后，进行刻蚀去除漏端上方位于两个阱之间的多晶硅和栅氧，保留位于所述阱上方的多晶硅。本发明的阵列结构中，利用高密度的阱阵列结构，使得功率MOS器件在100V以下时，相同截止耐击穿电压下，通态电阻远小于一般VDMOS。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS晶体管的结构，其特征在于：所述功率MOS晶体管漏端上的栅极设置为分离的两段，且每段栅极下方和源端下方均设置有导电类型与体区相同的阱。
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