[发明专利]半导体差分电感结构

摘要

本发明公开了一种半导体差分电感结构，包括由只有一条通路绕成的奇数圈的同心金属线圈，所述通路两端的接口，以及多个交叉结构，所述金属线圈始终沿顺时针或逆时针方向，由第一接口绕外圈1/4圈后，经过第一交叉结构过渡到第二圈；之后每经过1/4圈就经过交叉结构向内过渡，直到进入内圈；绕内圈1/2圈后，经过交叉结构向外过渡；之后每经过1/4圈后就经过第交叉结构向外过渡，一直到达中心抽头线；然后再经过与上述结构对称的结构连接到线圈的第二接口。本发明避免了差分电感的中心抽头线与金属线圈的互感以及电容耦合等寄生效应，并且只需两层金属，简化了差分电感在半导体器件中的结构。

主权项

一种半导体差分电感结构，其特征在于，包括由只有一条通路绕成的圈数至少为三的奇数的同心金属线圈，所述通路两端的接口，以及多个交叉结构，所述金属线圈始终沿顺时针或逆时针方向，两个接口都连接在最外圈的最下方，一条中心抽头线设置在最外圈的最上方，最外圈的最左侧和最右侧、最内圈的最上方和最下方以及其它圈的最左侧、最右侧、最上方和最下方各设置有交叉结构，由第一接口开始，每绕1/4圈后，都经过一个交叉结构向相邻靠内的一圈过渡，直到逐步过渡到最内圈；过渡到最内圈后，绕最内圈经过1/2圈；绕最内圈1/2圈后，经过又一个交叉结构过渡到相邻靠外的一圈；之后每绕1/4圈后，都再经过一个交叉结构向相邻靠外的一圈过渡，直到逐步过渡到最外圈；过渡到最外圈后，绕最外圈经过1/2圈，在该1/2圈的中点处，即最外圈的最上方，向金属线圈外引出一条中心抽头线；绕最外圈1/2圈后，再经过一个交叉结构过渡到相邻靠内的一圈；之后每绕1/4圈后，都再经过一个交叉结构向相邻靠内的一圈过渡，直到逐步过渡到最内圈；过渡到最内圈后，绕最内圈经过1/2圈；绕最内圈1/2圈后，再经过一个交叉结构过渡到相邻靠外的一圈；之后每绕1/4圈后，都再经过一个交叉结构向相邻靠外的一圈过渡，直到逐步过渡到最外圈；之后绕最外圈1/4圈后，连接线圈的第二接口。