[发明专利]半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 200910203375.7 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101604817A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 多田健太郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法。在包含镓(Ga)的n型半导体层中，接触电阻被抑制在低水平。n侧电极提供在包含Ga的n型半导体层的表面上。电极包括具有等于或大于1原子％且等于或小于25原子％的Ga含量的金属层。金属层被设置成与n型半导体层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 电极 具有 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极，所述电极形成在包含镓(Ga)的n型半导体层的表面上，所述电极包括：金属层，其具有等于或大于1原子％且等于或小于25原子％的Ga含量；其中，所述金属层被设置成与所述n型半导体层接触。
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