[发明专利]充电控制用半导体集成电路以及充电装置有效
申请号: | 200910203501.9 | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN101588082A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 高桥佳周;铃木大介;元市芳裕;黑川源太郎 | 申请(专利权)人: | 三美电机株式会社 |
主分类号: | H02J7/06 | 分类号: | H02J7/06;H01L27/02;G01R19/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许 静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及充电控制用半导体集成电路以及充电装置,用于在充电控制用IC中,防止在达到满充电状态前停止充电、或者在输入电压下降时从二次电池侧向IC的内部电路持续供给电流而使电池放电。充电控制用半导体集成电路具备:连接在电压输入端子和输出端子之间的电流控制用MOS晶体管(Q1)、对Q1的基体施加输入电压或输出电压的基体电压切换电路(M1、M2)、比较输入电压和输出电压的电压比较电路(12)。根据电压比较电路的输出来控制基体电压切换电路,其中,电压比较电路在第1电位方向上具有故意的偏移量,并且在电压比较电路的第1输入端子的前级设置有电平移位电路(19),其将输出电压向与第1电位方向相反的电位方向移位。 | ||
搜索关键词: | 充电 控制 半导体 集成电路 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种充电控制用半导体集成电路,具有:连接在电压输入端子和输出端子之间的、控制从所述电压输入端子流向输出端子的电流的电流控制用MOS晶体管;连接在所述电压输入端子以及所述输出端子和所述电流控制用MOS晶体管的基体之间的、在所述基体上施加输入电压或输出电压的基体电压切换电路;以及用于比较所述输入电压和所述输出电压的电压比较电路,根据所述电压比较电路的输出来控制所述基体电压切换电路,该充电控制用半导体集成电路的特征在于,所述电压比较电路,在第1电位方向上有故意的偏移量,并且在所述电压比较电路的第1输入端子的前级,设有将所述输出电压向与所述第1电位方向相反的电位方向移位的电平移位电路,对所述电压比较电路的第2输入端子输入所述输入电压。
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