[发明专利]凸块底金属层的制造方法

摘要

本发明公开一种凸块底金属层的制造方法。首先，形成一粘着层于晶圆的绝缘层与芯片垫上。接着，形成一第一光刻胶层于粘着层上。进行一图案化制造过程，以使第一光刻胶层通过局部移除而形成至少一第一开口。之后，形成一阻障层于第一开口中的粘着层上。加工第一光刻胶层，使第一开口扩大为一第二开口，且第二开口的侧壁与阻障层之间形成一第一间隙，其显露出粘着层。接着，形成一润湿层于第二开口中的阻障层以及粘着层上，而阻障层被包覆于润湿层与粘着层之间。

主权项

一种凸块底金属层的制造方法，适用于一晶圆，所述晶圆具有一绝缘层以及显露于所述绝缘层下的至少一芯片垫，其特征在于：所述的凸块底金属层的制造方法包含下列步骤：形成一粘着层于所述绝缘层与所述芯片垫上；形成一第一光刻胶层于所述粘着层上；进行一图案化制造过程，以使所述第一光刻胶层通过局部移除而形成至少一第一开口；形成一阻障层于所述第一开口中的所述粘着层上；加工所述第一光刻胶层，使所述第一开口扩大为一第二开口，且所述第二开口的侧壁与所述阻障层之间形成一第一间隙，其显露出所述粘着层；以及形成一润湿层于所述第二开口中的所述阻障层以及所述粘着层上，而所述阻障层被包覆于所述润湿层与所述粘着层之间。