[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器有效
| 申请号： | 200910203584.1 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101567960A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 李仑政 | 申请（专利权）人： | 安太科技株式会社 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15;H04N9/04;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器。所述互补金属氧化物半导体图像传感器包括：二维像素阵列，其包括各具有钻石形状的单位像素；设置于该像素阵列的一侧以指定行地址的行解码器；以及列解码器，其设置于该像素阵列的另一侧以垂直于所述行解码器并用于从由所述行解码器选择的行中提取各自像素的数据、放大所提取的数据并生成包括像素值的图像数据。本发明还涉及一种包括互补金属氧化物半导体图像传感器的图像处理设备。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：二维像素阵列，其包括各具有钻石形状的单位像素；设置于该像素阵列的一侧以指定行地址的行解码器；以及列解码器，其设置于该像素阵列的另一侧以垂直于所述行解码器并用于从由所述行解码器选择的行中提取各自像素的数据、放大所提取的数据并生成包括像素值的图像数据。
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