[发明专利]用于SRAM的写操作中的灵敏放大器有效
| 申请号： | 200910203611.5 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101770806A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞仁;陈彝梓 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器(SRAM)电路结构，包括：一对互补的全局位线，和一对互补的局部位线。全局读/写电路连接到全局位线对，写操作中，被配置以将小摆幅信号写入到全局位线对。SRAM电路还包括第一多路复用器和第二多路复用器，每个多路复用器都具有第一输入和第二输入。第一多路复用器的第一输入和第二多路复用器的第一输入连接到全局位线对的不同位线上。灵敏放大器包括连接到第一多路复用器的输出的第一输入，和连接到第二多路复用器的输出的第二输入。灵敏放大器被设置以将小摆幅信号放大为全摆幅信号，然后在写操作中输出全摆幅信号到局部位线对。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sram 操作 中的 灵敏 放大器 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：静态随机存取存储(SRAM)电路，包括：一对彼此互补的全局位线；一对彼此互补的局部位线；连接到所述全局位线对的全局读/写电路，其被配置以在写操作中将小摆幅信号写入到全局位线对；第一多路复用器和第二多路复用器，每个多路复用器包括第一输入和第二输入，其中所述第一多路复用器的第一输入和所述第二多路复用器的第一输入连接到全局位线对的不同位线；灵敏放大器，包括连接到所述第一多路复用器的输出的第一输入，和连接到所述第二多路复用器的输出的第二输入，其中，在写操作中，所述灵敏放大器被配置以将小摆幅信号放大为全摆幅信号，然后输出全摆幅信号到局部位线对。
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