[发明专利]半导体芯片的背面金属处理有效
| 申请号： | 200910203613.4 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101771010A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 邱文智;吴文进 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构包括具有前面和背面的半导体衬底。穿透硅通孔(TSV)穿透该半导体衬底。该TSV具有延伸到半导体衬底背面的后端。再分配线(RDL)在半导体衬底背面上并且与TSV的后端连接。硅化物层在该RDL的上并且与RDL接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 背面 金属 处理 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：包括前面和背面的半导体衬底；穿透所述半导体衬底的穿透硅通孔(TSV)，所述TSV包括延伸到所述半导体衬底背面的后端；再分配线(RDL)，在所述半导体衬底背面上并且与所述TSV的后端连接；和在所述RDL上的硅化物层。
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